| المواصفات الفنية الأساسية |
السعة (Capacity) |
2 تيرابايت (2TB). توفر مساحة تخزين كبيرة للنظام، البرامج، الألعاب، والملفات الشخصية. |
|
عامل الشكل (Form Factor) |
M.2 2280. هذا هو الحجم القياسي الأكثر شيوعاً لوحدات التخزين الداخلية، وهو متوافق مع الغالبية العظمى من اللوحات الأم وأجهزة اللابتوب الحديثة. الرمز “2280” يعني أن أبعاده 22 مم عرضاً و80 مم طولاً. |
|
الواجهة (Interface) |
PCIe Gen4x4. يستخدم الجيل الرابع من منفذ PCI Express وبأربع ممرات (x4) لنقل البيانات. هذا يمنحه عرض نطاق ترددي ضعف ما يوفره الجيل الثالث (PCIe 3.0)، مما يسمح بسرعات أعلى بكثير. |
|
بروتوكول التحكم (Protocol) |
NVMe 1.4. هو بروتوكول مصمم خصيصاً لأقراص SSD المتصلة عبر منفذ PCIe، ليحل محل بروتوكول AHCI القديم. يوفر زمن وصول أقل، وقائمة أوامر أعمق، وكفاءة أعلى في التعامل مع البيانات، مما يُترجم إلى أداء أسرع واستجابة فورية. |
| الأداء (Performance) |
سرعة القراءة المتسلسلة (Sequential Read) |
تصل إلى 7000 ميجابايت/ثانية. هذه السرعة الفائقة تعني قدرة القرص على قراءة الملفات الكبيرة جداً (مثل ملفات الفيديو بدقة 4K و 8K) وفتح البرامج والألعاب بسرعة هائلة. |
|
سرعة الكتابة المتسلسلة (Sequential Write) |
تصل إلى 6000 ميجابايت/ثانية. تسمح هذه السرعة بنسخ الملفات الضخمة وحفظ المشاريع الكبيرة بسرعة مذهلة، مما يقلل أوقات الانتظار بشكل كبير. |
|
سرعة القراءة العشوائية (Random Read) |
تصل إلى 800,000 IOPS (عملية إدخال/إخراج في الثانية). هذا المقياس يعكس أداء القرص في التعامل مع مئات الآلاف من الملفات الصغيرة والمتفرقة في نفس الوقت، وهو ما يحدث أثناء تشغيل نظام التشغيل وتصفح الإنترنت وتعدد المهام. كلما زاد الرقم، كانت استجابة النظام أسرع. |
|
سرعة الكتابة العشوائية (Random Write) |
تصل إلى 600,000 IOPS. مهمة جداً لسرعة استجابة التطبيقات التي تكتب بيانات صغيرة باستمرار، مثل قواعد البيانات، أو متصفحات الويب التي تحفظ الذاكرة المؤقتة. |
| التقنيات المستخدمة |
تقنية HMB (Host Memory Buffer) |
هي تقنية تسمح للقرص باستخدام جزء صغير جداً من ذاكرة الرام (RAM) الخاصة بالجهاز المضيف كذاكرة تخزين مؤقت لخريطة البيانات. هذا يلغي الحاجة إلى ذاكرة DRAM مستقلة على القرص نفسه، مما يخفض التكلفة والحرارة مع الحفاظ على أداء ممتاز. |
|
تقنية SLC Caching |
يقوم القرص بتحويل جزء من مساحة التخزين الخاصة به (من نوع TLC أو QL) لتعمل كخلايا من نوع SLC فائقة السرعة. هذا يعمل كمخزن مؤقت للكتابة، مما يسمح للقرص بتحقيق سرعات الكتابة المتسلسلة المعلنة (6000 ميجابايت/ثانية) بشكل مستدام أثناء نقل الملفات. |
|
ذاكرة NAND فلاش |
يستخدم “ذاكرة NAND فلاش ثلاثية الأبعاد عالية الجودة”. التصميم ثلاثي الأبعاد يعني تكديس الخلايا عمودياً، مما يوفر كثافة تخزين أعلى، أداء أفضل، ومتانة أكبر مقارنة بالتصميم التقليدي ثنائي الأبعاد. |
| المتانة والموثوقية |
TBW (تيرابايت مكتوبة – Total Bytes Written) |
600 تيرابايت. هذا هو مؤشر العمر الافتراضي للقرص. يعني أنه يمكنك كتابة 600 تيرابايت من البيانات على القرص قبل أن تبدأ خلايا الذاكرة في التآكل. لحساب الاستخدام اليومي، هذا يعادل كتابة حوالي 330 جيجابايت يومياً لمدة 5 سنوات. |
|
MTBF (متوسط الوقت بين الأعطال) |
1,500,000 ساعة. هذا رقم نظري يعبر عن موثوقية القرص الإحصائية. لا يعني أن القرص سيعمل لهذه المدة، بل يعكس معدل أعطال منخفض جداً. |
|
مقاومة الصدمات (Shock-resistant) |
1500G، لمدة 0.5 جزء من الثانية (Half Sine Wave). يتحمل صدمات قوية أثناء التشغيل، وهو أمر طبيعي لأقراص SSD التي لا تحتوي على أجزاء متحركة. |
|
مقاومة الاهتزازات (Vibration-resistant) |
نطاق واسع من الترددات (10~2000Hz) بمقاومة عالية، مما يجعله مناسباً للاستخدام في البيئات التي قد تتعرض للاهتزاز. |
| الخصائص الفيزيائية |
الأبعاد (Dimensions) |
80 × 22 × 2.45 ملم. تصميم نحيف جداً (Slim)، مناسب لأجهزة اللابتوب الرفيعة وأجهزة الألعاب المحمولة مثل Steam Deck (مع التأكد من التوافق الحراري)، وكذلك اللوحات الأم المكتبية. |
|
الوزن (Weight) |
6 جرام فقط. خفيف الوزن للغاية. |
| الظروف البيئية |
درجة حرارة التشغيل (Operating Temperature) |
من 0 إلى 70 درجة مئوية. يجب أن يظل القرص ضمن هذا النطاق أثناء العمل لتجنب اختناق الأداء الحراري (Thermal Throttling). يُنصح باستخدام المشتت الحراري المرفق مع اللوحة الأم أو شراء واحد منفصل. |
|
درجة حرارة التخزين (Storage Temperature) |
من -40 إلى 85 درجة مئوية. نطاق تخزين واسع يضمن عدم تلف البيانات في الظروف القاسية. |
| الضمان |
الضمان (Warranty) |
ضمان محدود لمدة 1 سنة. يمنحك ثقة في جودة المنتج ودعم شركة Lexar له على المدى الطويل. |
المراجعات
مسح الفلاترلا توجد مراجعات بعد.